¿Qué potencia disipa un transistor de IBM de 2 nanómetros?

La potencia disipada por un transistor de IBM de 2 nanómetros es de aproximadamente 10 picovatios (pJ) en modo activo y 1 pJ en modo de reposo. Esto es mucho más bajo que la potencia disipada por los transistores de generaciones anteriores.

La reducción de la potencia disipada es un objetivo importante en la industria de los semiconductores. Una menor potencia disipada permite crear circuitos integrados más eficientes energéticamente.

IBM ha logrado reducir la potencia disipada mediante una serie de técnicas innovadoras, como:

• El uso de un transistor FinFET de doble puerta: este tipo de transistor tiene dos puertas, una que controla el canal y otra que controla la conductividad del canal. Esto permite reducir el tamaño del transistor sin perder rendimiento.
• El uso de un dieléctrico de alta permitividad: este tipo de dieléctrico tiene una mayor capacidad para almacenar carga eléctrica. Esto permite reducir el tamaño del transistor sin aumentar la capacitancia de la puerta.
• El uso de un proceso de fabricación de alta precisión: este proceso permite crear transistores de tamaño uniforme y con un bajo nivel de defectos.