Transistores CFET, la apuesta de Intel para fabricar chips de 1 nm

19/05/2023

https://elchapuzasinformatico.com/2023/05/transistores-cfet-intel/

El avance tecnológico en forma de transistores cada vez más pequeños y que ocupen menos espacio continúa sin cesar. Mientras nos acercamos al fin de los FinFET y la implementación de los GAAFET de forma masiva, un nuevo tipo asoma en el horizonte, para densidades cercanas a 1 nm.  Estamos hablando de los CFET, los cuales van a ser la apuesta de Intel para lo que ellos llaman la era Ángstrom. ¿Qué secretos esconden?

La gran diferencia entre Intel y AMD es que la primera conserva todavía sus fundiciones, por lo que no solo diseña nuevas arquitecturas de procesadores, sino también las tecnologías para fabricarlos. En una charla en el IFT World han hablado de cuál será el tipo de transistor que usaran para hacer posibles los chips que usaran sus tecnologías más allá de lo presentado hasta el momento.

¿Qué son los transistores CFET y por qué Intel apuesta por ellos?

Se trata de una evolución de los transistores Gate-All- Around con una variación, el hecho de poder apilar dos transistores nFET encima de dos cables pFET. Para que lo entendáis mejor, es como cuando volvemos a plegar una camiseta, el área ocupada en ancho y profundidad se reducen, pero se gana más altura.

Obviamente, esto es una simplificación al concepto, pero nos sirve para entender cuál es la función principal de los transistores CFET. El permitir el uso de densidades alrededor de 1 nanómetro y hacer posible futuros diseños de CPU de Intel. Sin embargo, desconocemos por el momento en que chips dentro de su mapa de ruta usarán este tipo de transistor, solo qué será después de que hayan lanzado al mercado los procesadores con tecnología RibbonFET o NanoRibbon.

Dicho de otra forma, estamos hablando de una tecnología que se empleará para fabricar diseños que irán más allá de los 18A o 0.18 nm que se han prometido para el 2025. Por lo que estamos hablando de una tecnología que se podría encontrar realmente a cinco años vista o más para su utilización comercial.

El objetivo, "un billón" de transistores para 2030

No, no nos hemos equivocado y sí, sabemos que la diapositiva que acompaña a estas líneas usa la palabra "Trilion", pero es que para los hispanohablantes 10 elevado a la 12 no es un trillón, sino un billón.  Es decir, una orden de magnitud más o diez veces más que el chip más complejo de Intel hasta la fecha, el Xeon Sapphire Rapids.

Por lo que siendo realistas, Intel espera que alrededor de 2030 podamos colocar diez veces más transistores en la misma área que a día de hoy. Si tenemos en cuenta el avance tradicional de la Ley de Moore en un periodo de 7 años, estamos hablando de un avance de 8 veces la densidad, por lo que ese x10 no está nada mal y demuestra que dicha Ley, que nunca lo ha sido, no ha muerto, sino que es malinterpretada por muchos que la confunden con otras métricas.

En todo caso, por los tiempos, lo de 2030 no parece ser lo que pueden conseguir con los CFET en cuanto a densidad, sino más bien un objetivo para ese mismo año. Sea como sea, se puede decir que Intel no se queda quieta y tiene productos en desarrollo para una larga cantidad de años y su objetivo no es bajar la cadencia. Eso sí, otra cosa distinta es ver si pueden cumplir sus tiempos establecidos y es que no olvidemos que su roadmap sobre el papel, está bastante congestionado en poco tiempo.